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Especificaciones Técnicas
SDD, capacidad:
2
Factor de forma de disco SSD:
M.2
Peso:
9
Ancho:
80
Profundidad:
2,3
Altura:
22
Intervalo de temperatura operativa:
0 - 70
Tipo de embalaje:
Caja
Interfaz:
PCI Express 4.0
Componente para:
PC
Voltaje de operación:
3,3
Golpes en funcionamiento:
1500
Tipo de memoria:
V-NAND MLC
NVMe:
Si
Velocidad de lectura:
7450
Velocidad de escritura:
6900
Tiempo medio entre fallos:
1500000
Consumo de energía (promedio):
5,5
Consumo de energía (espera):
0,055
Algoritmos de seguridad soportados:
256-bit AES
Funciones de protección:
Resistente al calor
Encriptación de hardware:
Si
Lectura aleatoria (4KB):
1400000
Función DevSleep:
Si
Escritura aleatoria (4KB):
1550000
Soporte S.M.A.R.T.:
Si
Soporte TRIM:
Si
Versión NVMe:
2.0
Carriles datos de interfaz PCI Express:
x4
Máxima temperatura:
70
Características Destacadas
Samsung 990 PRO, 2 TB, M.2, 7450 MB/s
-
SDD, capacidad: 2
-
Factor de forma de disco SSD: M.2
-
Peso: 9
-
Ancho: 80
-
Profundidad: 2,3
-
Altura: 22
-
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70
-
Tipo de embalaje: Caja
-
Interfaz: PCI Express 4.0
-
Componente para: PC
-
Voltaje de operación: 3,3
-
Golpes en funcionamiento: 1500
-
Tipo de memoria: V-NAND MLC
-
NVMe: Si
-
Velocidad de lectura: 7450
-
Velocidad de escritura: 6900
-
Tiempo medio entre fallos: 1500000
-
Consumo de energía (promedio): 5,5
-
Consumo de energía (espera): 0,055
-
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
-
Funciones de protección: Resistente al calor
-
Encriptación de hardware: Si
-
Lectura aleatoria (4KB): 1400000
-
Función DevSleep: Si
-
Escritura aleatoria (4KB): 1550000
-
Soporte S.M.A.R.T.: Si
-
Soporte TRIM: Si
-
Versión NVMe: 2.0
-
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
-
Máxima temperatura: 70
